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OTSUKA廣州代理OTSUKA 光譜干擾晶圓厚度計 SF-3 大塚電子

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光學(xué)式により非接觸?非破壊での厚み測定が可能 スペクトル解析後による條件出し 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能 保護(hù)フィルム、窓材など中間層越しの計測が可能 多層厚み解析 獨(dú)自解析エンジンを搭載(特許出願中) 厚み測定に最適な獨(dú)自の解析アルゴリズムを採用(特許取得済み) 厚み分布を自動でマッピング可能
測定項目
膜厚解析(5層)
用 途
Si部材の厚み評価 シリコン、化合物半導(dǎo)體の研削評価用 1.3mm 次世代450mmウェーハ 775µm 300mmウェハ TSVウェーハ(ビア上Si膜やSi層膜測定) シリコンウェーハ以外の素材にも幅広く対応(SiO2、樹脂膜) 仕 様
型式 SF-3 厚み測定範(fàn)囲 0.1µm~10µm、15µm~1000µm、10µm~775µm * 、50µm~1600µm* 繰り返し精度 0.01%以下 測定時間 最速200µs(5kHz) 測定用光源 半導(dǎo)體光源 測定徑 最小φ6µm WD 10mm以上の任意の距離による 寸法 123(W)×224(D)×128(H)mm(突起物を除く) * ただし表面狀態(tài)による
12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
高速Rθステージ SF-3Rθ



特 長


Rθ可動軸による高速マッピング仕様 コンパクト設(shè)計マッピングステージ 半導(dǎo)體プロセス裝置への組込み可能(組込みマッピング仕様) オリフラ、ノッチの畫像認(rèn)識機(jī)能 分光干渉法により非接觸?非破壊で高い再現(xiàn)性を?qū)g現(xiàn) 貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定 多層厚み測定が可能 オリフラ、ノッチの畫像認(rèn)識によるウェーハ面內(nèi)高精度位置決めを?qū)g現(xiàn) 


仕 様
型式 SF-3Rθ 光學(xué)系 光學(xué)プローブ 厚み測定範(fàn)囲 0.5 ~ 1600µm * 可動軸 Rθ 測定徑 φ6、φ9、φ500µm ステージ面サイズ φ300mm 可動軸ストローク R軸:±150mm、θ軸:360° ウェーハサイズ 300mm以下 計測時間 61ポイント/60s以下 最大駆動速度 150mm/s ステージ分解能 10µm以下 繰り返し位置決め精度 50µm以下 その他機(jī)能 畫像処理によるオリフラ及びノッチ合わせ機(jī)能 吸著 あり 特注 アライメント対応、ローダ対応
* 分光器のタイプに依存



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網(wǎng)址:www.hrfzsj.cn 或www.fujino.net.cn

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藤野貿(mào)易(廣州)有限公司-主營FA自動化、膠粘材料、油脂材料、機(jī)械設(shè)備、精密儀器、物流搬運(yùn),工具等產(chǎn)品

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